FET 类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：0.66nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：45pF @ 3V
功率耗散（最大值）：100mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 欧姆 @ 10mA，4V
工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：SOT-883VL
封装/外壳：SC-101，SOT-883
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs